CSD19506KTTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
NOVA partie #:
312-2292568-CSD19506KTTT
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
CSD19506KTTT
Paquet Standard:
50
Fiche technique:
N-Channel 80 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | DDPAK/TO-263-3 | |
| Numéro de produit de base | CSD19506 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | NexFET™ | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 200A (Ta) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | N-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 80 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12200 pF @ 40 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 375W (Tc) | |
| Autres noms | 296-CSD19506KTTTTR 296-CSD19506KTTTDKR CSD19506KTTT-ND 296-CSD19506KTTTCT |
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