RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
NOVA partie #:
312-2282457-RS1E260ATTB1
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
RS1E260ATTB1
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
P-Channel 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-HSOP | |
| Numéro de produit de base | RS1E | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 80A (Tc) | |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 26A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 175 nC @ 10 V | |
| Fonction FET | - | |
| Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
| Vg (Max) | ±20V | |
| Type FET | P-Channel | |
| Tension drain à source (Vdss) | 30 V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7850 pF @ 15 V | |
| Dissipation de puissance (maximale) | 3W (Ta) | |
| Autres noms | RS1E260ATTB1TR RS1E260ATTB1DKR RS1E260ATTB1CT |
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