EPC2110

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

NOVA partie #:

303-2247424-EPC2110

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

EPC2110

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A - Die

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	EPC
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Ensemble d'appareils du fournisseur	Die
Paquet/caisse	Die
Série	eGaN®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Tension drain à source (Vdss)	120V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Puissance - Max	-
Autres noms	917-1152-6 917-1152-2 917-1152-1

In stock Veuillez nous contacter

Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.

Nous avons trouvé d’autres produits qui pourraient vous intéresser!