EPC2106
GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE
NOVA partie #:
303-2247419-EPC2106
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
EPC2106
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A - Surface Mount Die
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Die | |
| Paquet/caisse | Die | |
| Série | eGaN® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 1.7A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.73nC @ 5V | |
| Fonction FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Type FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 50V | |
| Puissance - Max | - | |
| Autres noms | 917-1110-2 917-1110-1 917-1110-6 |
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