EPC2111

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

NOVA partie #:

303-2243243-EPC2111

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

EPC2111

Paquet Standard:

2,500

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	EPC
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	Die
Paquet/caisse	Die
Série	-
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Fonction FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Type FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain à source (Vdss)	30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Puissance - Max	-
Autres noms	917-1174-6 917-1174-2 917-1174-1

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