IPB65R041CFD7ATMA1

HIGH POWER_NEW
قسمت # NOVA:
312-2299413-IPB65R041CFD7ATMA1
شماره قطعه سازنده:
IPB65R041CFD7ATMA1
بسته استاندارد:
1,000
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهInfineon Technologies
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PG-TO263-3
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهCoolMOS™ CFD7
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 50A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 41mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 4.5V @ 1.24mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 102 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 4975 pF @ 400 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 227W (Tc)
نامهای دیگر448-IPB65R041CFD7ATMA1TR
SP005413357
448-IPB65R041CFD7ATMA1CT
448-IPB65R041CFD7ATMA1DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.