SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
قسمت # NOVA:
312-2285005-SISA72DN-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SISA72DN-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8 | |
| شماره محصول پایه | SISA72 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® Gen IV | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.5mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (حداکثر) | +20V, -16V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3240 pF @ 20 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 52W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SISA72DN-T1-GE3TR SISA72DN-T1-GE3DKR SISA72DN-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SISS10ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
SXT32412BA48-20.000MTSuntsu Electronics, Inc.
SQJ142ELP-T1_GE3Vishay Siliconix- SISS10DN-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG045V100EPDZNexperia USA Inc.
SI7113ADN-T1-GE3Vishay Siliconix- SISA72ADN-T1-GE3Vishay Siliconix