FF11MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE

قسمت # NOVA:

303-2247492-FF11MR12W1M1B11BOMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

FF11MR12W1M1B11BOMA1

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A - Chassis Mount Module

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	Module
شماره محصول پایه	FF11MR12
بسته / مورد	Module
سلسله	CoolSiC™+
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	100A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	11mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.55V @ 40mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	250nC @ 15V
ویژگی FET	Silicon Carbide (SiC)
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	7950pF @ 800V
قدرت - حداکثر	-
نامهای دیگر	2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1 INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1 FF11MR12W1M1_B11 SP001602204

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!