BSM120D12P2C005

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
قسمت # NOVA:
303-2247489-BSM120D12P2C005
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
BSM120D12P2C005
بسته استاندارد:
12
برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module

More Information
دسته بندیترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازندهRohm Semiconductor
RoHS 1
دمای عملیاتی -40°C ~ 150°C (TJ)
بسته دستگاه تامین کننده Module
شماره محصول پایه BSM120
بسته / موردModule
سلسله-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs -
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 2.7V @ 22mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs -
ویژگی FETSilicon Carbide (SiC)
نوع FET2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 14000pF @ 10V
قدرت - حداکثر 780W
نامهای دیگرQ7641253

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!