FF8MR12W2M1B11BOMA1

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

قسمت # NOVA:

303-2250773-FF8MR12W2M1B11BOMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

FF8MR12W2M1B11BOMA1

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 150A (Tj) 20mW (Tc) Chassis Mount AG-EASY2BM-2

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	AG-EASY2BM-2
شماره محصول پایه	FF8MR12
بسته / مورد	Module
سلسله	CoolSiC™+
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	150A (Tj)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.55V @ 60mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	372nC @ 15V
ویژگی FET	Silicon Carbide (SiC)
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	11000pF @ 800V
قدرت - حداکثر	20mW (Tc)
نامهای دیگر	SP001617622 2156-FF8MR12W2M1B11BOMA1 INFINFFF8MR12W2M1B11BOMA1

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!