QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Número de pieza NOVA:
312-2265080-QS6U24TR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
QS6U24TR
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 1A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número de producto base | QS6U24 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.7 nC @ 5 V | |
| Función FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 90 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Otros nombres | QS6U24DKR QS6U24CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
PMXB350UPEZNexperia USA Inc.
TP2502N8-GMicrochip Technology
DMP3030SN-7Diodes Incorporated
QS5U28TRRohm Semiconductor
RQ6E035SPTRRohm Semiconductor
DMP3105LVT-7Diodes Incorporated
