PMXB350UPEZ
MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Número de pieza NOVA:
312-2265048-PMXB350UPEZ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMXB350UPEZ
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 360mW (Ta), 5.68W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1010D-3 | |
| Número de producto base | PMXB350 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 447mOhm @ 1.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 950mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 2.3 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-XDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 116 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-10944-6-ND PMXB350UPEZ-ND 2156-PMXB350UPEZ-NEX 934067152147 568-10944-1-ND 568-10944-2-ND NEXNXPPMXB350UPEZ 568-10944-2 568-10944-1 1727-1473-6 568-10944-6 PMXB350UPE 1727-1473-1 1727-1473-2 PMXB350UPEZINACTIVE |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
QS6U24TRRohm Semiconductor
RZE002P02TLRohm Semiconductor
CPH3350-TL-Wonsemi
RV2C014BCT2CLRohm Semiconductor
DMP22D4UFA-7BDiodes Incorporated
TP0610K-T1-E3Vishay Siliconix
SSM3J133TU,LFToshiba Semiconductor and Storage
SBE808-TL-Wonsemi
