IXTQ30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Número de pieza NOVA:
312-2273052-IXTQ30N60L2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTQ30N60L2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P | |
| Número de producto base | IXTQ30 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Linear L2™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 335 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 540W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXTH15N50L2IXYS
IXTQ40N50L2IXYS
IXTT30N60L2IXYS- IXTH30N60L2IXYS