IXTA1N200P3HV

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MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

Número de pieza NOVA:

312-2361358-IXTA1N200P3HV

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IXTA1N200P3HV

Embalaje estándar:

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263AA
Número de producto base	IXTA1
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Polar P3™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	23.5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	2000 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	646 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	125W (Tc)