IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2276623-IXTA1N170DHV
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTA1N170DHV
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1700 V 1A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263HV
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263HV | |
| Número de producto base | IXTA1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Depletion | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 16Ohm @ 500mA, 0V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | - | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 47 nC @ 5 V | |
| Función FET | Depletion Mode | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1700 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3090 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 290W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IXTA1N200P3HVIXYS
SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
IXTT2N170D2IXYS- IXTA08N100D2IXYS
- IXTA1R6N100D2IXYS