IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2276164-IPD60R280PFD7SAUMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Embalaje estándar:
2,500
N-Channel 650 V 12A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-344 | |
| Número de producto base | IPD60R280 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™PFD7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 180µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 656 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 51W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPD60R280PFD7SAUMA1TR 448-IPD60R280PFD7SAUMA1DKR SP003493724 448-IPD60R280PFD7SAUMA1CT |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STD16N60M2STMicroelectronics
IPD50R380CEAUMA1Infineon Technologies- IPD60R280CFD7ATMA1Infineon Technologies
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon Technologies
