IPD50R380CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2280895-IPD50R380CEAUMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD50R380CEAUMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | IPD50R380 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 14.1A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 13V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 13V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 260µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V | |
| Función FET | Super Junction | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 584 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 98W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-IPD50R380CEAUMA1 ROCINFIPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1CT IPD50R380CEAUMA1DKR SP001396790 IPD50R380CEAUMA1TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
STD16N60M2STMicroelectronics
VS-15AWL06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IPD65R400CEAUMA1Infineon Technologies
IPD60R280PFD7SAUMA1Infineon Technologies
