PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2263448-PSMN015-60BS,118
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PSMN015-60BS,118
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | PSMN015 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 14.8mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20.9 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1220 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 86W (Tc) | |
| Otros nombres | 568-9698-1 568-9698-2 934066201118 568-9698-6-ND PSMN015-60BS,118-ND 568-9698-1-ND 568-9698-2-ND PSMN01560BS118 1727-7207-6 568-9698-6 1727-7207-1 1727-7207-2 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- IRFZ48RSPBFVishay Siliconix
- IRFZ44ESTRLPBFInfineon Technologies
- NDB6060Lonsemi
- IRLZ44NSTRLPBFInfineon Technologies
- STB55NF06LT4STMicroelectronics
- NTB25P06T4Gonsemi




