IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2265310-IRFH8334TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH8334TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 44A (Tc) 3.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH8334 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 44A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.35V @ 25µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1180 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta), 30W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFH8334TRPBFTR IRFH8334TRPBFDKR SP001577860 IRFH8334TRPBFCT |
In stock ?Necesitas más?
0,40890 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
TPN8R903NL,LQToshiba Semiconductor and Storage
IRFH8318TRPBFInfineon Technologies- IRFH8325TRPBFInfineon Technologies