IRFH8325TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Número de pieza NOVA:
312-2280136-IRFH8325TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFH8325TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 82A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) | |
| Número de producto base | IRFH8325 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 82A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.35V @ 50µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2487 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.6W (Ta), 54W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFH8325TRPBFTR IRFH8325TRPBFCT IRFH8325TRPBFDKR SP001566798 |
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