SIR692DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2282805-SIR692DP-T1-RE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIR692DP-T1-RE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 250 V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Número de producto base SIR692
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 24.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 63mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 30 nC @ 7.5 V
Función FET-
Paquete / CajaPowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)250 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1405 pF @ 125 V
Disipación de energía (máx.) 104W (Tc)
Otros nombresSIR692DP-T1-RE3CT
SIR692DP-T1-RE3TR
SIR692DP-T1-RE3DKR

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