TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Número de pieza NOVA:
312-2287930-TPN2010FNH,L1Q
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPN2010FNH,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número de producto base | TPN2010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 200µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) | |
| Otros nombres | TPN2010FNHL1QCT TPN2010FNHL1QTR TPN2010FNH,L1Q(M TPN2010FNHL1QDKR |
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