BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Número de pieza NOVA:
312-2281177-BSZ097N10NS5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSZ097N10NS5ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TSDSON-8-FL | |
| Número de producto base | BSZ097 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 36µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2080 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | |
| Otros nombres | BSZ097N10NS5ATMA1TR BSZ097N10NS5ATMA1CT BSZ097N10NS5ATMA1DKR SP001132550 |
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