NVTFS010N10MCLTAG
MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Número de pieza NOVA:
312-2288090-NVTFS010N10MCLTAG
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVTFS010N10MCLTAG
Embalaje estándar:
1,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número de producto base | NVTFS010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 85µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Paquete / Caja | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2150 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) | |
| Otros nombres | NVTFS010N10MCLTAGOSCT NVTFS010N10MCLTAGOS-ND NVTFS010N10MCLTAGOS NVTFS010N10MCLTAGOSDKR NVTFS010N10MCLTAGOSTR |
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