BSC070N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
Número de pieza NOVA:
312-2281328-BSC070N10NS5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC070N10NS5ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Número de producto base | BSC070 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 50µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) | |
| Otros nombres | BSC070N10NS5ATMA1CT BSC070N10NS5ATMA1TR SP001241596 BSC070N10NS5ATMA1DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
BSC070N10NS5SCATMA1Infineon Technologies
BSC070N10LS5ATMA1Infineon Technologies- BSC061N08NS5ATMA1Infineon Technologies
SBRT15U100SP5-13Diodes Incorporated
BSC070N10NS3GATMA1Infineon Technologies
LT8490IUKJ#PBFAnalog Devices Inc.- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
MMBT5550LT1Gonsemi- BSC040N10NS5ATMA1Infineon Technologies
74AUP1G04GW,125Nexperia USA Inc.- BSC098N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- BSC0803LSATMA1Infineon Technologies
