BSC070N10LS5ATMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-7
Número de producto base	BSC070
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 5
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	14A (Ta), 79A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.3V @ 49µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	20 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2700 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Otros nombres	448-BSC070N10LS5ATMA1TR SP001861044 448-BSC070N10LS5ATMA1CT 448-BSC070N10LS5ATMA1DKR

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