BSO080P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Número de pieza NOVA:
312-2288470-BSO080P03SHXUMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSO080P03SHXUMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 12.6A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-DSO-8 | |
| Número de producto base | BSO080 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12.6A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 14.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 136 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5890 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.79W (Ta) | |
| Otros nombres | SP000613798 BSO080P03S HCT BSO080P03SH BSO080P03SHXUMA1CT BSO080P03S H-ND BSO080P03SHXUMA1TR BSO080P03S HDKR-ND BSO080P03SHXUMA1DKR BSO080P03S HCT-ND BSO080P03S HTR-ND BSO080P03S HDKR BSO080P03S H |
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