FDS6673BZ

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MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Número de pieza NOVA:

312-2280761-FDS6673BZ

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDS6673BZ

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	FDS6673
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	14.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	124 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4700 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Otros nombres	FDS6673BZ-ND Q3295237 ONSONSFDS6673BZ FDS6673BZTR 2156-FDS6673BZ-OS FDS6673BZDKR FDS6673BZCT