FDA59N25
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
Número de pieza NOVA:
312-2292235-FDA59N25
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDA59N25
Embalaje estándar:
450
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 250 V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3PN | |
| Número de producto base | FDA59 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | UniFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 59A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 250 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4020 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 392W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-FDA59N25-OS ONSONSFDA59N25 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
FDA59N30onsemi
STW52NK25ZSTMicroelectronics
IXTQ52N30PIXYS
1SMA5918BT3Gonsemi- FDA69N25onsemi