IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2290615-IPD100N04S402ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD100N04S402ATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-313 | |
| Número de producto base | IPD100 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 95µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 118 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9430 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 150W (Tc) | |
| Otros nombres | IPD100N04S402ATMA1CT INFINFIPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S4-02-ND SP000646184 2156-IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1DKR IPD100N04S4-02 IPD100N04S402ATMA1TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPD90N04S402ATMA1Infineon Technologies
AOD424Alpha & Omega Semiconductor Inc.
TK55S10N1,LQToshiba Semiconductor and Storage
IRFR8314TRPBFInfineon Technologies