IRFR8314TRPBF
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2280309-IRFR8314TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRFR8314TRPBF
Embalaje estándar:
2,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-PAK (TO-252AA) | |
| Número de producto base | IRFR8314 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.2V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 54 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4945 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
| Otros nombres | IRFR8314TRPBFCT IRFR8314TRPBFTR SP001565102 IRFR8314TRPBFDKR |
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