BSC010N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Número de pieza NOVA:
312-2283010-BSC010N04LS6ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC010N04LS6ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 40 V 40A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-6 | |
| Número de producto base | BSC010 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 67 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4600 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3W (Ta), 150W (Tc) | |
| Otros nombres | BSC010N04LS6ATMA1CT SP001687044 BSC010N04LS6ATMA1-ND BSC010N04LS6ATMA1TR BSC010N04LS6ATMA1DKR |
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