BSC026N02KSGAUMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Número de producto base	BSC026
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.2V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	52.7 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	7800 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Otros nombres	BSC026N02KS GDKR-ND BSC026N02KSGAUMA1TR BSC026N02KSGAUMA1DKR SP000379664 BSC026N02KS GCT BSC026N02KS G BSC026N02KSG BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GCT-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KS GDKR BSC026N02KSGAUMA1CT 2156-BSC026N02KSGAUMA1 INFINFBSC026N02KSGAUMA1

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