SPD15P10PLGBTMA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2282076-SPD15P10PLGBTMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SPD15P10PLGBTMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | SPD15P10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 11.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1.54mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 62 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1490 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 128W (Tc) | |
| Otros nombres | SPD15P10PLGBTMA1DKR SPD15P10PLGBTMA1CT SPD15P10PL GDKR SP000317393 SPD15P10PL G SPD15P10PLGBTMA1TR SPD15P10PL GCT SPD15P10PL G-ND SPD15P10PL GTR-ND SPD15P10PL GTR SPD15P10PL GDKR-ND SPD15P10PL GCT-ND |
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