SPD15P10PGBTMA1

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Número de producto base	SPD15P10
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.1V @ 1.54mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1280 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	128W (Tc)
Otros nombres	SPD15P10P G-ND SPD15P10P G SPD15P10PGBTMA1CT SPD15P10PGBTMA1TR SPD15P10PGBTMA1DKR SP000212233

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