IPD80P03P4L07ATMA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2288163-IPD80P03P4L07ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD80P03P4L07ATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número de producto base | IPD80P03 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 130µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 88W (Tc) | |
| Otros nombres | IPD80P03P4L07ATMA1CT IPD80P03P4L-07INCT-ND IPD80P03P4L-07 IPD80P03P4L07 IPD80P03P4L-07INTR-ND SP000396296 IPD80P03P4L-07INDKR IPD80P03P4L-07INCT IPD80P03P4L-07-ND INFINFIPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INDKR-ND 2156-IPD80P03P4L07ATMA1 IPD80P03P4L-07INTR IPD80P03P4L07ATMA1TR IPD80P03P4L07ATMA1DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
MX25R6435FM2IL0Macronix
AP7362-33SP-13Diodes Incorporated
IPD90P03P4L04ATMA1Infineon Technologies
BQ27531YZFR-G1Texas Instruments
IPD80P03P4L07ATMA2Infineon Technologies
NX3215SA-32.768KHZ-EXS00A-MU00525NDK America, Inc.
ST3232BTRSTMicroelectronics
