IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Número de pieza NOVA:
312-2288166-IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD80P03P4L07ATMA2
Embalaje estándar:
2,500
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número de producto base | IPD80P03 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 130µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 88W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPD80P03P4L07ATMA2CT 448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR SP002325740 448-IPD80P03P4L07ATMA2TR |
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