NP100P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2298055-NP100P06PDG-E1-AY
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NP100P06PDG-E1-AY
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 | |
| Número de producto base | NP100P06 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 15000 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Otros nombres | NP100P06PDG-E1-AY-ND 559-NP100P06PDG-E1-AYCT -1161-NP100P06PDG-E1-AYCT 559-NP100P06PDG-E1-AYTR 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR |
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