SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2288816-SQM110P06-8M9L_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQM110P06-8M9L_GE3
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número de producto base | SQM110 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7450 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 230W (Tc) | |
| Otros nombres | SQM110P06-8M9L_GE3-ND SQM110P06-8M9L_GE3TR SQM110P06-8M9L_GE3CT SQM110P06-8M9L_GE3DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IPB110P06LMATMA1Infineon Technologies
ATP304-TL-Honsemi
MMBTA56Q-7-FDiodes Incorporated
SQJQ480E-T1_GE3Vishay Siliconix- SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix- NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
B360AM-13-FDiodes Incorporated