IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Número de pieza NOVA:
312-2264447-IXTY01N100
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTY01N100
Embalaje estándar:
70
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Número de producto base | IXTY01 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100mA (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 80Ohm @ 100mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 25µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.9 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 54 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 25W (Tc) | |
| Otros nombres | IXTY01N100TR IXTY01N100TR-ND IXTY01N100CT-ND 490458 IXTY01N100TRINACTIVE IXTY01N100DKR-ND Q3218405 IXTY01N100DKR IXTY01N100DKRINACTIVE IXTY01N100CT |
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