RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Número de pieza NOVA:
312-2271443-RFD3055LESM9A
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RFD3055LESM9A
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 38W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-RFD3055LESM9A-HCTR ONSONSRFD3055LESM9A |
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