DMNH6012SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8
Número de pieza NOVA:
312-2273068-DMNH6012SPSQ-13
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DMNH6012SPSQ-13
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerDI5060-8 | |
| Número de producto base | DMNH6012 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 35.2 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1926 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | DMNH6012SPSQ-13DICT DMNH6012SPSQ-13DITR DMNH6012SPSQ-13-ND DMNH6012SPSQ-13DIDKR |
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