DMNH10H028SPSQ-13
MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8
Número de pieza NOVA:
312-2273309-DMNH10H028SPSQ-13
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DMNH10H028SPSQ-13
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerDI5060-8 | |
| Número de producto base | DMNH10 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2245 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) | |
| Otros nombres | DMNH10H028SPSQ-13DIDKR DMNH10H028SPSQ-13DICT DMNH10H028SPSQ-13DITR |
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