IPP80N08S2L07AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Número de pieza NOVA:
312-2289745-IPP80N08S2L07AKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPP80N08S2L07AKSA1
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 | |
| Número de producto base | IPP80N08 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 233 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5400 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) | |
| Otros nombres | IPP80N08S2L07 SP000219050 IPP80N08S2L-07 IPP80N08S2L-07-ND IFEINFIPP80N08S2L07AKSA1 2156-IPP80N08S2L07AKSA1 |
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