SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Número de pieza NOVA:
312-2289776-SUG80050E-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SUG80050E-GE3
Embalaje estándar:
500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AC | |
| Número de producto base | SUG80050 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | ThunderFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6250 pF @ 75 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 500W (Tc) | |
| Otros nombres | SUG80050E-GE3TR-ND SUG80050E-GE3DKRINACTIVE SUG80050E-GE3TRINACTIVE SUG80050E-GE3DKR-ND SUG80050E-GE3CT SUG80050E-GE3TR SUG80050E-GE3CT-ND SUG80050E-GE3DKR |
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