FDD86367-F085

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MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Número de pieza NOVA:

312-2282857-FDD86367-F085

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDD86367-F085

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252AA
Número de producto base	FDD86367
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4840 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	227W (Tj)
Otros nombres	FDD86367F085 FDD86367_F085 FDD86367_F085CT FDD86367_F085DKR-ND FDD86367_F085TR FDD86367_F085DKR FDD86367-F085CT FDD86367_F085TR-ND FDD86367-F085TR FDD86367_F085CT-ND FDD86367-F085DKR