DMN62D0SFD-7
MOSFET N-CH 60V 540MA 3DFN
Número de pieza NOVA:
312-2265069-DMN62D0SFD-7
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
DMN62D0SFD-7
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 60 V 540mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | X1-DFN1212-3 | |
| Número de producto base | DMN62 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 540mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-UDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 30.2 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 430mW (Ta) | |
| Otros nombres | DMN62D0SFD-7DICT DMN62D0SFD-7DITR DMN62D0SFD-7DIDKR DMN62D0SFD7 |
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