SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Número de pieza NOVA:
312-2281375-SI7115DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7115DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número de producto base | SI7115 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Otros nombres | SI7115DN-T1-GE3DKR SI7115DN-T1-GE3CT SI7115DN-T1-GE3TR SI7115DNT1GE3 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI7115DN-T1-E3Vishay Siliconix
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.- SI7421DN-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
PTS645VL58-2 LFSC&K
MMBT3904LT1Gonsemi
FDMC86139Ponsemi- SI7315DN-T1-GE3Vishay Siliconix
IRFS4321TRLPBFInfineon Technologies
SY58605UMG-TRMicrochip Technology
