SI7115DN-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Número de pieza NOVA:
312-2281317-SI7115DN-T1-E3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7115DN-T1-E3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número de producto base | SI7115 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8.9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 150 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 52W (Tc) | |
| Otros nombres | SI7115DN-T1-E3-ND SI7115DN-T1-E3CT SI7115DN-T1-E3DKR SI7115DN-T1-E3TR |
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