BSC026NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 24A/82A TDSON
Número de pieza NOVA:
312-2263160-BSC026NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BSC026NE2LS5ATMA1
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 25 V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Número de producto base | BSC026 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 82A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100 pF @ 12 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 29W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001212432 BSC026NE2LS5ATMA1CT BSC026NE2LS5ATMA1TR BSC026NE2LS5ATMA1DKR BSC026NE2LS5ATMA1-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
BSC009NE2LS5IATMA1Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1Infineon Technologies
TXS0102DCURTexas Instruments
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
CAT34C02HU4IGT4Aonsemi- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
TLV6700QDSERQ1Texas Instruments
EEH-ZF1V101VPanasonic Electronic Components- BSC026N08NS5ATMA1Infineon Technologies
DS1818R-10+T&RAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
